Перейти к основному содержанию
Реклама
Прямой эфир
Общество
В Ингушетии эвакуировали 75 человек из-за подтопления в Сунженском районе
Общество
Похититель собак Пай не признал вину в жестоком обращении с животными
Мир
Дегтярев отметил широкое спортивное сотрудничество России и Китая
Мир
Лавров напомнил американской стороне о достигнутых в Анкоридже договоренностях
Общество
Путин подписал закон о защите исторической правды
Спорт
Мексика согласилась принять сборную Ирана на время ЧМ-2026
Авто
В России упростили порядок отстранения от управления авто в пьяном виде
Мир
Лавров предупредил США о начале системных ударов РФ по военным объектам Киева
Мир
Археологи нашли 100 золотых украшений возрастом 1,1 тыс. лет в Саудовской Аравии
Спорт
«Зенит» объявил об уходе защитника Арсена Адамова
Спорт
Разбитый футболистами «Спартака» Кубок России изготовят заново и передадут клубу
Спорт
ХК «Автомобилист» расторг контракт с лучшим бомбардиром сезона
Мир
Глава МИД Эстонии выступил против посредничества ЕС в переговорах по Украине
Армия
Силы ПВО за 12 часов сбили 14 беспилотников ВСУ над регионами России
Мир
Захарова заявила о брошенном России вызове
Спорт
ФК «Милан» сменил руководство после невыхода в ЛЧ
Мир
SHAMAN опубликовал видео у посольства США и рассказал о папке со списком фамилий

В РФ подготовили программу полигонов для испытаний микроэлектроники

0
EN
Фото: Сергей Иванов
Озвучить текст
Выделить главное
Вкл
Выкл

В России создадут полигоны для испытаний продукции электронной промышленности. Проект реализуют по инициативе Министерства промышленности и торговли РФ. Об этом в интервью «Известиям» рассказал директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Сергей Иванов.

Беседа с ученым состоялась на полях форума «Микроэлектроника-2025».

«Их задача в том, чтобы проводить независимое экспертное тестирование и доработку нового отечественного оборудования. Такие испытательные полигоны помогут в итоге создавать технику мирового класса», — рассказал ученый.

Он пояснил, что один полигон будет создан в НИУ «МИЭТ» в Зеленограде, а второй — на базе Центра современной импортозамещающей гетероструктурной электронно-компонентной базы на базе ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Центр ЭКБ Иоффе).

По словам ученого, скоро завершится строительство НИОКР-центра ФТИ. Его введут в эксплуатацию в конце 2026 года. Готовность проекта составляет 85–90%. Его основная задача — доводить до промышленного внедрения разработки ФТИ Иоффе в сфере фотоники и электроники.

На базе этого центра в рамках федерального проекта «Подготовка кадров и фундамента электронной промышленности» создается Центр ЭКБ Иоффе.

Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий»:

«В стране созрел класс потребителей отечественной компонентной базы»

Читайте также
Прямой эфир