В РФ создали прототип транзистора для перспективной силовой электроники
В Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете (СПбГЭТУ) «ЛЭТИ» разработали прототип транзистора для перспективной силовой электроники. Об этом рассказал «Известиям» проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александр Семенов.
Разработка открывает широкие возможности для развития многих отраслей промышленности: автомобиле-, двигателе-, самолето- и машиностроения, космической технике. На ее основе могут быть созданы новые компьютеры, планшеты, беспилотники, медоборудование, мобильные телефоны и прочее, рассказали ученые.
Карбид кремния (SiC), из которого сделан транзистор, способен работать при более высоких температурах и напряжениях без потери электрических свойств. Это делает его перспективным для использования в силовой электронике, например, в инверторах и преобразователях энергии. Однако широкое применение карбида кремния требует не только наличия воспроизводимых технологий его синтеза, но и разработки новых тополого-технологических решений.
«В рамках реализации нашей программы развития «Приоритет 2030» по переходу на новую ЭКБ мы разработали отечественный прототип полевого транзистора на основе карбида кремния на 1,7 кВ», — рассказал Семенов.
Транзисторы — это один из основных компонентов силовой электроники. Образцы на основе карбида кремния уже успешно применяются практически во всех типах современной высоковольтной электроники, начиная от бытовой техники и электротранспорта и заканчивая системами связи и космической техникой.
Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий»:
Компонент времени: в РФ создали элементы для новой перспективной электроники
