Перейти к основному содержанию
Реклама
Прямой эфир
Общество
В Красноярском крае задержали работников за кражу более тонны металла
Экономика
СПБ Биржа приостановила торги из-за техсбоя
Мир
Польша потратила предназначенные для Украины €91 млн ЕС
Мир
В Евросоюзе утвердили 16-й пакет санкций против России
Мир
Австралия ввела новый пакет санкций в отношении 70 физлиц и 79 юрлиц из РФ
Происшествия
Промышленный цех загорелся на площади более 650 кв. м во Владимирской области
Общество
В России женщины чаще мужчин скрывают свои накопления от семьи
Армия
Минобороны сообщило о 22 уничтоженных БПЛА над регионами РФ
Общество
Военные поздравили ветерана в Луганске со 100-летним юбилеем
Происшествия
Три мирных жителя пострадали после обстрела Горловки со стороны ВСУ
Мир
Рябков заявил об опасности прекращения огня на Украине без устранения первопричин
Мир
Пленный боевик ВСУ рассказал об отправке на передовую из части ПВО обманом
Мир
Economist предрек Украине «сотни лет» долговых обязательств по сделке с минералами
Мир
СМИ узнали о намерении Макрона и Стармера отговорить Трампа от переговоров с РФ
Мир
Более 80 жителей Британии скончались из-за применения «Оземпика»
Армия
Бойцы Росгвардии уничтожили укрытие боевиков ВФУ в курском приграничье
Армия
Финальный этап учений «Комодо-2025» с участием РФ прошел у берегов Индонезии

Изучение свойств феррита никеля позволит создать микроэлектронику будущего

690
EN
Фото: РИА Новости/Алексей Куденко
Выделить главное
Вкл
Выкл

Специалисты из Московского физико-технического института (МФТИ) и Объединенного института высоких температур (ОИВТ) РАН вместе с коллегами из Тайваня и Индонезии изучили структурно-чувствительные свойства феррита никеля.

Исследователи установили, что свойства этого материала могут меняться из-за наличия точечных дефектов в структуре соединения. Благодаря этому феррит никеля — перспективный материал для спинтроники и производства микросхем резистивной памяти, рассказали «Известиям» в МФТИ. Результаты исследований будут полезны для разработки быстродействующих и энергонезависимых электронных устройств.

Можно ожидать, что сложные расчеты электронной структуры феррита никеля и подобных ему материалов, выполненные группой из российских и иностранных ученых, поспособствуют разработке быстродействующих электронных устройств, подчеркнули специалисты.

Исследование открывает путь к созданию энергонезависимых микросхем резистивной памяти, где управление проводимостью осуществляется через формирование проводящих филаментов, рассказал лаборант Центра компетенций НТИ «Цифровое материаловедение: новые материалы и вещества» МГТУ им. Н.Э. Баумана Василий Чалый.

«Такие устройства сочетают быстродействие оперативной памяти и надежность хранения данных, что делает их перспективными для использования в электронике автомобилей, носимых гаджетах, а также в системах интернета вещей (Internet of Things) и других энергозависимых приложениях, где важна устойчивость к экстремальным условиям», — отметил он.

Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий» в пятницу, 13 декабря, в 10:00:

Дефекта ради: найден идеальный материал для чипов гаджетов и автоэлектроники

Читайте также
Прямой эфир
Следующая новость
На нашем сайте используются cookie-файлы. Продолжая пользоваться данным сайтом, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов cookie в соответствии с настоящим уведомлением и Пользовательским соглашением